传统内存要走了新的内存时代来了-相变位内存

hali · 发表于 15:08

随着恒忆半导体（NUMONYX）最近发表第二代90nm相变位内存（PCM，亦称为PRAM；Phase Change Memory）产品后，三星也跟着在差不多的时间点宣示将在季末推出针对手机市场（看来打算没人买单也可以自行吸收是吧...）的PCM产品，更狠的是一次就跳到30nm制程了。

相较于现有主流内存技术仰赖电荷的方式储存，只要一没电，内容就会消失，PCM的原理则是透过硫族化合物（恒忆采用的是GST材质）透过加热与降温在晶体与非晶体间转换的方式作为写入，并透过测量GST的电阻进行读取，在无电的状态下依旧可维持内容；由于纪录方式是单纯的物理变化，结合NAND与NOR 闪存以及其他内存的多项优点，且寿命为100万次写入，比一般的内存寿命约10万次更高，有更长的产品寿命。根据恒忆的数据，以机顶盒设计为例，PCM可整合EEPROM与闪存的功能，简化线路设计。此外，PCM在写入的程序不需将经过数据抹除程序，可直接对数据进行至直接写入，也因此比NOR Flash有更快的写入速度（前提是必须在系统程序上跳过抹除的动作）。

PCM目前所针对的目标仍是以包括手机为主的嵌入式系统为主，三星与恒忆虽在市场上互为竞争，但两方也在2009年针对针对支持 JEDEC LPDDR2 低功耗内存装置标准的行动、嵌入式及其他潜在运算应用订定共通标准，未来可望通过Pin-to-Pin的方式达到软硬件兼容。并且在三星的操作下，相信在手机市场应该很快就有起色，刚刚查了一下资料，台湾工研院电光所与整合了力晶、南亚、华邦、茂德四家业者于2006年组成PCM联盟，不过动作方面似乎比较落后一点...相较于已经快崩盘的DRAM，如果动作不快一点，到时候大概要看着三星靠半导体工厂跟自产自销的优势，还有处处透过专利施压跺脚了吗...？